蘇大維格:預期今年底完成一臺110英寸微圖形光刻直寫設備和配套光刻設施

重庆时时彩合买跟单 www.qjgsbs.com.cn 微納3D形貌不僅極難加工,而且數據量極大、耗時極長,包括電子束光刻在內,在大面積上制備3D形貌都是國際難題,納米結構越精細,光刻效率越低。

蘇大維格發明了一種高效微納結構并行直寫方法。用數字光場調控與脈沖疊加曝光方法,將海量數據光電轉換成微納3D形貌。發明了“多臺階二元光學數字光場疊加寫入模式”和“灰度數字模板”,通過光場灰度調控與積分寫入,使得微納3D形貌的直寫效率提高了(2N/N)倍。攻克了“海量數據設計→微納結構光場→3D形貌”納米制造領域的重大難題。橫向數字分辨率100nm,3D形貌0-50μm,數據處理能力達40Tb。

圖1 微納3D直寫光機結構與設備(70吋)、3D形貌形成示意圖

十二五期間,在“國家重大863計劃”和“國家重大科學儀器設備開發專項”的支持下,公司成功研發了70吋幅面的微納3D直寫光刻設備。該設備支持在翹曲大面積基片上3D結構圖形直寫,能夠在陶瓷襯底深孔臺階上制備MEMS電極、能制備薄膜透鏡變梯度結構。該設備為柔性電子、薄膜透鏡、柔性照明材料提供了先進手段。

圖2微納3D形貌SEM照片

下一步,公司將在此基礎上持續投入研發,預計2019年年底完成一臺110英寸微圖形光刻直寫設備和配套光刻設施。該設備可配套大尺寸透明導電薄膜和電容觸控屏產線建設。該設備研制成功后,可在110吋大幅面光刻膠上進行微圖形直寫,將為大尺寸透明導電薄膜和電容觸控屏產線的全尺寸建設提供強有力的支撐!